Preparación y Caracterización Óptica a Temperatura Ambiente del Sistema con Vacancia Ordenada Cu(In1-Xgax)3Se5 - Marín, Giovanni; Wasim, Syed M.; Rincón, Carlos; Sánchez Pérez, Gerardo; Bocaranda, Pablo; Eloy Mora, Andrés; Molina M., Ildefonso (Ciencia)
En el presente trabajo se reporta la caracterización óptica de los semiconductores CuIn3Se5, CuGa3Se5 y sus aleaciones Cu(In1-XGaX)3Se5. Las muestras estudiadas fueron obtenidas a partir de lingotes crecidos mediante la técnica de Bridgman vertical y por enfriamiento direccional programado. La composición estequiométrica porcentual de las muestras, determinada por EDX, resultó ser muy cercana a la composición teórica. La brecha de energía EG varía con la composición x de acuerdo a la ecuación cuadrática: EG(x) = a + bx + cx2, donde el coeficiente c es igual a (0,173 Ó 0,002) eV. Este valor está de acuerdo con el calculado mediante la relación c = 5/4 Y = 0,175 eV, donde Y es la diferencia de las electronegatividades de Phillips entre los cationes In y Ga.Â Â