Un nuevo modelo sobre la captura de electrones en donadores poco profundos en Ge y Si a bajas temperaturas
Abstract
Se presenta un nuevo modelo sobre la captura de electrones en niveles donadores poco profundos de semiconductores cristalinos en función de la temperatura. Se compara, además, con los modelos tradicionales de Lax y Abakumov cuando se hicieron ajustes a ocho conjuntos de datos publicados de Ge y Si a bajas temperaturas. El coeficiente de correlación fue mejor para el nuevo modelo. Con los parámetros obtenidos del ajuste con el nuevo modelo se aplicaron regresiones lineales tanto para la energía de percolación como para la temperatura de saturación del “hopping” de Shklovskii. Los coeficientes de correlación fueron de 0.96 y 0.92 respectivamente. Los resultados prometen abrir un nuevo y favorable camino para explicar la caída de la sección eficaz de captura con la temperatura en los semiconductores cristalinos, en especial a muy bajas temperaturas.
